Кабинет физики СПбАППО


ГАНН Джон (
p . 13.V.1928) - физик-эспериментатор. P. в Каире. Окончил Кембриджский ун-т (1943). В 1948-53 работал в «Эллиот Брос Лимитед», 1953 - 56 — «Радар Рее Эстаблищд», в 1956 - 59 — в ун-те Британской Колумбии. С 1959 живет в США, работает в «ИБМ Корпорейшн».

Исследования посвящены физике полупроводников, полупроводниковым приборам, автоматике. Независимо от П.  Бэнбери разработал (1954) теории инжекции и выпрямления контактами металл — полупроводник. В 1956 получил экспериментальную кривую зависимости скорости электронов в германии от напряженности электрического поля, исследовал явление аккумуляции носителей за ряда в германии и ввел для описания свойств контакта величину, называемую скоростью утечки в контакте. В 1957 рассмотрел рассеяние электронов на ионизированной примеси и на ионах примеси и решетке. Построил теорию п+ - п- и р+ - р- переходов, рассмотрел уравнения диффузии в полупроводниках и исследовал полупроводниковые материалы с почти собственной проводимостью, важные для некоторых типов транзисторов (1958).

В 1963 открыл явление генерации высокочастотных колебаний кристаллами арсенида галлия и фосфида индия в сильных электрических полях (эффект Ганна). В 1964 установил, что эти колебания связаны с прохождением через образец доменов сильного поля, и измерил их форму, наблюдал (1966) неустойчивость доменов. Эффект Ганна используется для создания генераторов СВЧ (диоды Ганна)

[ 425а ].

Рекомендуем использовать новую версию сайта!

Рейтинг@Mail.ru www.EduSpb.com Объединение учителей Санкт-Петербурга www.PackAndCandle.com Индекс цитирования


Hosted by DELFA