Кабинет физики СПбАППО

 

ЦИДИЛЬКОВСКИЙ Исаак Михайлович (21.V.1923 - 30.X.2001) – российский физик. Акад РАН (1990, чл.-кор. - 1987). Р. в с. Ракитно Киевской области. В 1940 поступил в Киевский индустриальный институт, но с самого начала войны добровольцем ушел на фронт. С 1946 учился на физическом факультете Киевского университета. С 1953 - в Дагестанском филиале АН СССР. С 1957 — в в Институте физики металлов (Свердловск), организовал лабораторию полупроводников и полуметаллов (1960).
Первые работы посвящены изучению термомагнитных явлений в широком классе полупроводниковых материалов. В значительной мере благодаря этим работам была создана новая область кинетики твердого тела.
В 60-е годы под руководством И.М. Цидильковского был выполнен большой цикл исследований квантовых явлений переноса в сильных магнитных полях, оптических и СВЧ свойств полупроводников, явлений переноса под действием высокого давления. Благодаря созданным в лаборатории установкам импульсных магнитных полей удалось расширить доступный измерениям диапазон до 500 килоэрстед. Был экспериментально обнаружен и всесторонне изучен предсказанный теоретически В.Л. Гуревичем и Ю.А. Фирсовым новый тип осцилляции магнитосопротивления - магнитофононный резонанс, открыты новые осцилляционные эффекты кинетических коэффициентов, обусловленные слабыми многофононными или спин-орбитальными взаимодействиями. Новые возможности раскрылись при исследовании кинетики неравновесной системы "горячих" электронов в сильных электрических полях. Полученные в работах И.М. Цидильковского результаты нашли мировое признание, породили новые экспериментальные методы изучения электронного и фононного спектров в полупроводниках ("магнитофононную спектроскопию").
В 70-е годы научные интересы И.М. Цидильковского сосредоточились на исследовании особого класса бесщелевых полупроводников и твердых растворов на их основе с регулируемой величиной запрещенной зоны. И.М. Цидильковский с сотрудниками исследовал электронные фазовые переходы в бесщелевых полупроводниках при воздействии сильных магнитных полей, высоких давлений, изучал особенности примесных состояний и роль примесного беспорядка в формировании электронной структуры бесщелевых и узкощелевых полупроводниковых материалов (Гос. премия 1982).
С конца 80-х гг. изучал свойства полумагнитных полупроводников, которые содержали в своем составе примеси d-элементов.
Обнаружил и исследовал различные типы переходов металлдиэлектрик как под влиянием внешних воздействий, так и вследствие электронных корреляций.
Премия имени А.Ф. Иоффе АН СССР (1972), имени М.В. Ломоносова (1994).

Рекомендуем использовать новую версию сайта!

Рейтинг@Mail.ru www.EduSpb.com Объединение учителей Санкт-Петербурга www.PackAndCandle.com Индекс цитирования


Hosted by DELFA